Hurkx, G.A.M: шукати на сайті Z-Library

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.82 MB

english, 2015

Field-Related Failure of GaN-on-Si HEMTs: Dependence on Device Geometry and Passivation

Rossetto, I., Meneghini, M., Pandey, S., Gajda, M., Hurkx, G. A. M., Croon, J. A., Sonsky, J., Meneghesso, G., Zanoni, E.

Журнал:

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.92 MB

english, 2016

A new approach to A.C. characterization of bipolar transistors

Журнал:

Рік:

1988

Мова:

english

Файл:

PDF, 608 KB

english, 1988

2DEG Retraction and Potential Distribution of GaN–on–Si HEMTs Investigated Through a Floating Gate Terminal

Rossetto, I., Meneghini, M., De Santi, C., Pandey, S., Gajda, M., Hurkx, G. A. M, Croon, J., Sonsky, J., Meneghesso, G., Zanoni, E.

Журнал:

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.30 MB

english, 2018

A fast and reliable method used to investigate the size-dependent retention lifetime of a phase-change line cell

L. Goux, G.A.M. Hurkx, X.P. Wang, R. Delhougne, K. Attenborough, D. Gravesteijn, D. Wouters, J. Perez Gonzalez

Журнал:

Hurkx, G.A.M., de Graaff, H.C., Kloosterman, W.J., Knuvers, M.P.G.

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.11 MB

english, 2011

A new analytical diode model including tunneling and avalanche breakdown

Журнал:

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 765 KB

english, 1992

Anomalous behavior of surface leakage currents in heavily doped gated-diodes

Hurkx, F., Peek, H.L., Slotboom, J.W., Windgassen, R.A.

Журнал:

IEEE Journal of Solid-State Circuits

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 810 KB

english, 1993

A figure of merit for the high-frequency noise behavior of bipolar transistors

de Vreede, L.C.N., de Graaff, H.C., Hurkx, G.A.M., Tauritz, J.L., Baets, R.G.F.

Журнал:

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 622 KB

english, 1994

OFF-State Degradation of AlGaN/GaN Power HEMTs: Experimental Demonstration of Time-Dependent Drain-Source Breakdown

Meneghini, Matteo, Cibin, Giulia, Bertin, Marco, Hurkx, Godefridus Adrianus Maria, Ivo, Ponky, Sonsky, Jan, Croon, Jeroen A., Meneghesso, Gaudenzio, Zanoni, Enrico

Журнал:

Uren, Michael J., Silvestri, Marco, Casar, Markus, Hurkx, Godefridus Adrianus Maria, Croon, Jeroen A., Sonsky, Jan, Kuball, Martin

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.67 MB

english, 2014

Intentionally Carbon-Doped AlGaN/GaN HEMTs: Necessity for Vertical Leakage Paths

Журнал:

van Dalen, R., Rochefort, C., Hurkx, G.A.M.

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 491 KB

english, 2014

[Inst. Electr. Eng. Japan 13th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. IPSD '01 - Osaka, Japan (4-7 June 2001)] Proceedings of the 13th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. IPSD '01 (IEEE Cat. No.01CH37216) - Breaking the silicon limit using semi-insulating Resurf layers

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 333 KB

english, 2001

[IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology, 2004. Proceedings of the 2004 Meeting - Montreal, Canada (Sept. 12-14, 2004)] Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology, 2004. Proceedings of the 2004 Meeting - Design and analyses of bias current circuits for operation at output voltages above BV/sub CEO/

Veenstra, H., Hurkx, F., van Goor, D., Brekelmans, H.

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 289 KB

english, 2004

[IEEE 2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - Hong Kong, China (2015.5.10-2015.5.14)] 2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - Impact of the backside potential on the current collapse of GaN SBDs and HEMTs

Croon, J. A., Hurkx, G. A. M., Donkers, J. J. T. M., Sonsky, J.

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 284 KB

english, 2015

Barrier Height Variation in Ni-Based AlGaN/GaN Schottky Diodes

Hajlasz, Marcin, Donkers, Johan J. T. M., Pandey, Saurabh, Hurkx, Fred, Hueting, Raymond J. E., Gravesteijn, Dirk J.

Журнал:

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.00 MB

english, 2017

Modelling sidewall effects in downscaled bipolar transistors

Журнал:

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 976 KB

english, 1989

On the modelling of tunnelling currents in reverse-biased p-n junctions

Журнал:

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 333 KB

english, 1989

An improved analytical description of the effect of velocity saturation on the collector current of a bipolar transistor

Журнал:

Journal of Electrostatics

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 305 KB

english, 1992

Using thin emitters to control BVce0 effects in punch-through diodes for ESD protection

R van Dalen, G.A.M Hurkx, M.A.A in ‘t Zandt, E.A Hijzen, P.J.W Weijs, A den Dekker

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 513 KB

english, 2002

Evoked potentials in children with chronic renal failure, treated conservatively or by continuous ambulatory peritoneal dialysis

Wilfred Hurkx, Ineke Hulstijn-Dirkmaat, Jaco Pasman, Jan Rotteveel, Yvonne Visco, Cornelis Schröder

Журнал:

Pediatric Nephrology

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 468 KB

english, 1995

Cyanose bij een pasgeborene; denk ook aan methemoglobinemie

M. R. Faber, G. A. P. T. Hurkx, A. F. G. M. van de Walle

Журнал:

Tijdschrift voor Kindergeneeskunde

Рік:

2003

Файл:

PDF, 97 KB

2003

Sulphonylurea therapy improves cognition in a patient with the V59M KCNJ11 mutation

A. S. Slingerland, W. Hurkx, K. Noordam, S. E. Flanagan, J. W. Jukema, L. C. Meiners, G. J. Bruining, A. T. Hattersley, M. Hadders-Algra

Журнал:

Diabetic Medicine

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 123 KB

english, 2008

A new recombination model for device simulation including tunneling

Hurkx, G.A.M., Klaassen, D.B.M., Knuvers, M.P.G.

Журнал:

Рік:

1992

Мова:

english

Файл:

PDF, 805 KB

english, 1992

The relevance of fT and fmax for the speed of a bipolar CE amplifier stage

Hurkx, G.A.M.

Журнал:

Рік:

1997

Мова:

english

Файл:

PDF, 215 KB

english, 1997

A better insight into the performance of silicon BJTs featuring highly nonuniform collector doping profiles

Palestri, P., Fiegna, C., Selmi, L., Peter, M.S., Hurkx, G.A.M., Slotboom, J.W., Sangiorgi, E.

Журнал:

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 229 KB

english, 2000

On the sidewall effects in submicrometer bipolar transistors

Hurkx, G.A.M.

Журнал:

Рік:

1987

Мова:

english

Файл:

PDF, 749 KB

english, 1987

RF figures-of-merit for process optimization

Hurkx, G.A.M., Agarwal, P., Dekker, R., van der Heijden, E., Veenstra, H.

Журнал:

Vanhoucke, T., Hurkx, G.A.M.

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 542 KB

english, 2004

Simultaneous extraction of the base and thermal resistances of bipolar transistors

Журнал:

Vanhoucke, T., Hurkx, G.A.M.

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 417 KB

english, 2005

A new analytical model for the thermal resistance of deep-trench bipolar transistors

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 635 KB

english, 2006

Degradation of the Reset Switching During Endurance Testing of a Phase-Change Line Cell

Goux, L., Tio Castro, D., Hurkx, G., Lisoni, J.G., Delhougne, R., Gravesteijn, D.J., Attenborough, K., Wouters, D.J.

Журнал:

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 308 KB

english, 2009

Transient Characteristics of the Reset Programming of a Phase-Change Line Cell and the Effect of the Reset Parameters on the Obtained State

Goux, L., Gille, T., Castro, D.T., Hurkx, G., Lisoni, J.G., Delhougne, R., Gravesteijn, D.J., De Meyer, K., Attenborough, K., Wouters, D.J.

Журнал:

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 561 KB

english, 2009

Resistance and Threshold Switching Voltage Drift Behavior in Phase-Change Memory and Their Temperature Dependence at Microsecond Time Scales Studied Using a Micro-Thermal Stage

SangBum Kim, Byoungil Lee, Asheghi, M., Hurkx, F., Reifenberg, J.P., Goodson, K.E., Wong, H.-S.P.

Журнал:

Joost Nicolai, Vivianne H.J.M. van Kranen-Mastenbroek, Ron A. Wevers, Wilfred A.P.T. Hurkx, Johan S.H. Vles

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 926 KB

english, 2011

Folinic Acid–Responsive Seizures Initially Responsive to Pyridoxine

Журнал:

Pediatric Neurology

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 106 KB

english, 2006

Analyses and design of bias circuits tolerating output voltages above BVCEO

Veenstra, H., Hurkx, G.A.M., van Goor, D., Brekelmans, H., Long, J.R.

Журнал:

IEEE Journal of Solid-State Circuits

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.09 MB

english, 2005

Calculations of Mechanical Stresses in Electrical Contact Situations

Tangena, A., Hurkx, G.

Журнал:

IEEE Transactions on Components Hybrids and Manufacturing Technology

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.09 MB

english, 1985

A Novel Method for Extracting the Temperature-Dependent Crystal-Growth Parameters in Fast-Growth Phase-Change Memories

Goux, L., Hurkx, G.A.M., Wang, X.P., Delhougne, R., Attenborough, K., Gravesteijn, D., Wouters, D.J., Perez Gonzalez, J.

Журнал:

Hurkx, G A M, Haeringen, W van

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 247 KB

english, 2010

[IEEE 2006 International SiGe Technology and Device Meeting - Princeton, NJ, USA ()] 2006 International SiGe Technology and Device Meeting - Influence of lateral device scaling and airgap deep trench isolation on reliability performance of 200GHz SiGe:C HBTs

Piontek, A., Vanhoucke, T., Van Huylenbroeck, S., Choi, L.J., Hurkx, G.A.M., Hijzen, E., Decoutere, S.

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.75 MB

english, 2006

[IEEE 2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM - Austin, TX, USA (2010.10.4-2010.10.6)] 2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM) - Layout and spacer optimization for high-frequency low-noise performance in HBT's

Vanhoucke, T., Donkers, J.J.T.M., Hurkx, G.A.M, Magnee, P.H.C., van Dalen, R., Egbers, J. H., Klaassen, D.B.M.

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 778 KB

english, 2010

Self-consistent calculations on GaAs-Al x Ga 1-x As heterojunctions

Журнал:

Journal of Physics C Solid State Physics

Рік:

1985

Мова:

english

Файл:

PDF, 537 KB

english, 1985

Impact of Donor Traps on the 2DEG and Electrical Behavior of AlGaN/GaN MISFETs

Longobardi, Giorgia, Udrea, Florin, Sque, Stephen, Hurkx, Godefridus A. M., Croon, Jeroen, Napoli, Ettore, Sonsky, Jan

Журнал:

Hurkx, G.A.M., Klaassen, D.B.M., Knuvers, M.P.G., O'Hara, F.G.

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 430 KB

english, 2014

[IEEE 2007 IEEE International Electron Devices Meeting - Washington, DC, USA (2007.12.10-2007.12.12)] 2007 IEEE International Electron Devices Meeting - Evidence of the Thermo-Electric Thomson Effect and Influence on the Program Conditions and Cell Optimization in Phase-Change Memory Cells

Castro, D. Tio, Goux, L., Hurkx, G.A.M, Attenborough, K., Delhougne, R., Lisoni, J., Jedema, F.J., Zandt, M.A.A. in `t, Wolters, R.A.M., Gravesteijn, D.J., Verheijen, M.A., Kaiser, M., Weemaes, R.G.R.

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.26 MB

english, 2007

[IEEE International Technical Digest on Electron Devices Meeting - Washington, DC, USA (3-6 Dec. 1989)] International Technical Digest on Electron Devices Meeting - A new recombination model describing heavy-doping effects and low-temperature behaviour

Рік:

1989

Мова:

english

Файл:

PDF, 296 KB

english, 1989

[IEEE 2012 International Semiconductor Conference (CAS 2012) - Sinaia, Romania (2012.10.15-2012.10.17)] CAS 2012 (International Semiconductor Conference) - Modelling 2DEG charges in AlGaN/GaN heterostructures

Longobardi, Giorgia, Udrea, Florin, Sque, Stephen, Croon, Jeroen, Hurkx, Fred, Napoli, Ettore, Sonsky, Jan

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 728 KB

english, 2012

[IEEE 2013 IEEE PES Conference on Innovative Smart Grid Technologies (ISGT Latin America) - Sao Paulo, Brazil (2013.04.15-2013.04.17)] 2013 IEEE PES Conference on Innovative Smart Grid Technologies (ISGT Latin America) - Evaluation of CDMA450 as communications technology for smart Grid applications

Haidine, Abdelfatteh, Muller, Jorg, Hurkx, Judith, Alons, Korik

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 667 KB

english, 2013

[IEEE 2000 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices - Seattle, WA, USA (6-8 Sept. 2000)] 2000 International Conference on Simulation Semiconductor Processes and Devices (Cat. No.00TH8502) - A Monte Carlo technique to investigate signal delays of advanced Si BJT's up to high currents

Palestri, P., Selmi, L., Hurkx, F., Slotboom, J.

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 307 KB

english, 2000

[IEEE 2011 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM - Atlanta, GA, USA (2011.10.9-2011.10.11)] 2011 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - Virtual technology for RF process and device development

Vanhoucke, T., Klaassen, D.B.M., Mertens, H., Donkers, J.J.T.M., Hurkx, G.A.M, Huizing, H.G.A., Magnee, P.H.C., Hijzen, E.A., van Dalen, R., Gridelet, E., Slotboom, J.W.

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 365 KB

english, 2011

Breakdown Enhancement in Silicon Nanowire p-n Junctions

Agarwal, P., Vijayaraghavan, M. N., Neuilly, F., Hijzen, E., Hurkx, G. A. M.

Журнал:

Nano Letters

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.51 MB

english, 2007

[IEEE 2007 IEEE International Electron Devices Meeting - Washington, DC, USA (2007.12.10-2007.12.12)] 2007 IEEE International Electron Devices Meeting - A Novel Fully Self-Aligned SiGe:C HBT Architecture Featuring a Single-Step Epitaxial Collector-Base Process

Donkers, J.J.T.M., Kramer, M.C.J.C.M., Van Huylenbroeck, S., Choi, L.J., Meunier-Beillard, P., Sibaja-Hernandez, A., Boccardi, G., van Noort, W., Hurkx, G.A.M., Vanhoucke, T., Vleugels, F., Winderickx

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.07 MB

english, 2007

[IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology, 2004. Proceedings of the 2004 Meeting - Montreal, Canada (Sept. 12-14, 2004)] Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology, 2004. Proceedings of the 2004 Meeting - QUBiC4X: An f/sub T//f/sub max/ = 130/140GHz SiGe:C-BiCMOS manufacturing technology witg elite passives for emerging microwave applications

Deixler, P., Rodriguez, A., De Boer, W., Sun, H., Colclaser, R., Bower, D., Bell, N., Yao, A., Brock, R., Bouttement, Y., Hurkx, G.A.M., Tiemeijer, L.F., Paasschens, J.C.J., Huizing, H.G.A., Hartskeer

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 314 KB

english, 2004

A Quantum–Mechanical View on the Capacitance of a Silicon p-n Junction

Hurkx, G. A. M., Agarwal, P.

Журнал: